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公司简介
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01
备料
准备一定量比例的多晶硅和掺杂剂，置入单晶炉内的石英坩埚中。
02
晶体生长
利用单晶炉将半导体级多晶硅在最高温度达1500℃的热场中熔化，然后通过晶体生长拉制成用户所需的直径和电学参数的单晶硅锭。
03
滚圆
将生长的单晶锭经过金刚石砂轮的外圆磨削加工，使磨削加工后的硅棒成为具有标准直径的圆柱体。
04
切片
将经过滚圆工序的硅棒，切割成一定厚度的硅圆片
05
倒角
对切片边缘轮廓进行金刚石砂轮磨削加工，以减少后续硅片加工及器件工艺中的碎片不良。
06
研磨
利用游星轮将硅片置于双面研磨机的上下磨盘之间，加入液体研磨料，使硅片随着磨盘作相对的行星运动，并对硅片分段加压进行双面研磨加工，改善片间和片内厚度公差提高硅片平整度和平行度。
07
抛光
利用抛光液对硅片表面的机械研磨和化学腐蚀的双重作用从而获得无加工损伤平整（镜面光滑）的硅片表面。
08
检验
按硅片产品标准要求实施质量检测判定。
09
抛光片
各类规格的高品质单晶硅片。
10
APCVD
APCVD炉用于硅片背面沉积低温氧化膜（LTO），防止硅片外延工艺过程中硅片内部的掺杂剂通过背面溢出扩散到硅片正面的外延层中。
11
LPCVD
LPCVD炉用于硅片背面沉积本征多晶硅（i-poly），多晶硅膜起到吸除硅片内部金属离子的作用。用于增强型外吸杂工艺。
12
氧化膜边缘剥离机
氧化膜边缘剥离机用于剥离硅片边缘APCVD工艺生产的氧化膜，消除硅片边缘氧化膜对外延工艺的影响。